苏州纳维科技有限公司

苏州纳维科技有限公司成立于2007年5月，公司以中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所为技术依托，专注于从事氮化镓衬底芯片及相关设备的研发和产业化，提供各类氮化镓材料，目前公司拥有核心技术专利近二十项，是中国首家氮化镓衬底芯片供应商。

苏州纳维面向不同用户，主要提供如下产品：一、15~50微米厚度的2英寸GaN厚膜衬底，位错密度为107cm-2量级，分为n型掺杂、非掺杂和半绝缘三种类型；二、2英寸氮化镓自支撑衬底，厚度0.25mm， Ga面位错腐蚀坑密度为106cm-2量级，分为n型掺杂、非掺杂和半绝缘三种类型；三、小尺寸方形(边长1~2cm)氮化镓衬底，分为n型掺杂、非掺杂和半绝缘三种类型，单面或者双面抛光；四、小尺寸非极性面氮化镓衬底，a面或者m面；五、高结晶度氮化镓粉体材料；六、图形蓝宝石衬底料 苏州纳维公司的下一步发展战略是在现有产品形成一定的销售规模基础上，重点围绕氮化镓衬底生产型设备的提升、大尺寸晶圆和成本降低的新技术工艺开展研发，并打造核心团队，以产业联盟的方式，联合下游企业在应用于节能照明、激光投影、智能电网、物联网的核心器件方面取得重点突破。公司的愿景是成长为一家团队...

苏州纳维科技有限公司成立于2007年5月，公司以中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所为技术依托，专注于从事氮化镓衬底芯片及相关设备的研发和产业化，提供各类氮化镓材料，目前公司拥有核心技术专利近二十项，是中国首家氮化镓衬底芯片供应商。

苏州纳维面向不同用户，主要提供如下产品：一、15~50微米厚度的2英寸GaN厚膜衬底，位错密度为107cm-2量级，分为n型掺杂、非掺杂和半绝缘三种类型；二、2英寸氮化镓自支撑衬底，厚度0.25mm， Ga面位错腐蚀坑密度为106cm-2量级，分为n型掺杂、非掺杂和半绝缘三种类型；三、小尺寸方形(边长1~2cm)氮化镓衬底，分为n型掺杂、非掺杂和半绝缘三种类型，单面或者双面抛光；四、小尺寸非极性面氮化镓衬底，a面或者m面；五、高结晶度氮化镓粉体材料；六、图形蓝宝石衬底料 苏州纳维公司的下一步发展战略是在现有产品形成一定的销售规模基础上，重点围绕氮化镓衬底生产型设备的提升、大尺寸晶圆和成本降低的新技术工艺开展研发，并打造核心团队，以产业联盟的方式，联合下游企业在应用于节能照明、激光投影、智能电网、物联网的核心器件方面取得重点突破。公司的愿景是成长为一家团队具有持续创新能力、产品具有国际领先水平、并能够占据一定国际市场份额、引领产业发展潮流的高科技企业集团。